IXFH 36N55Q
IXFT 36N55Q
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
36
31.5
27
22.5
18
13.5
9
4.5
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
81
72
63
54
45
36
27
18
9
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
0
1
2
3 4
V DS - Volts
5
6
7
0
3
6
9 12 15
V DS - Volts
18
21
24
36
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
2.8
31.5
27
22.5
18
V G S = 10V
7V
6V
2.5
2.2
1.9
1.6
V G S = 10V
I D = 36A
13.5
9
4.5
0
5V
1.3
1
0.7
0.4
I D = 18A
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V G S = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
9
18
27
36
45
54
63
72
81
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
DS99003A(05/03)
相关PDF资料
IXFH400N075T2 MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
IXFH40N30 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
IXFH42N60P3 MOSFET N-CH 600V 42A TO247
IXFH44N50Q3 MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
IXFH60N20 MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
IXFH66N20Q MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
IXFH6N120P MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
IXFH6N120 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH36N55Q2 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH400N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N30 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH40N30Q 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N30Q_11 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH40N30S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA